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FDS6680A
MOSFET, N, SO-8
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS6680ACopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87X5249
Re-reeling (Rollos a medida)89K7431RL
Cinta adhesiva89K7431
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.660 | $8.30 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $8.30 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $1.660 |
| 10+ | $1.100 |
| 15+ | $1.020 |
| 25+ | $0.938 |
| 50+ | $0.857 |
| 125+ | $0.776 |
| 250+ | $0.707 |
| 500+ | $0.638 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.550 |
| 7500+ | $0.520 |
| 12500+ | $0.510 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS6680ACopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo87X5249
Re-reeling (Rollos a medida)89K7431RL
Cinta adhesiva89K7431
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id12.5A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9500µohm
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia2.5W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
12.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9500µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
2.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza FDS6680A
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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