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FDS89141
MOSFET Dual, Canal N, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS89141
No. Parte Newark88T3365
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id3.5A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N100V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.047ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.047ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N31W
Disipación de Potencia de Canal P31W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FDS89141 es un MOSFET de puerta blindada de doble canal N producido mediante el proceso PowerTrench® avanzado que incorpora tecnología de puerta blindada. Este proceso se ha optimizado para RDS (ON), rendimiento de conmutación y robustez. El dispositivo es adecuado para su uso con rectificador síncrono e interruptor primario para aplicaciones de topología de puente.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente en un paquete de montaje en superficie ampliamente utilizado
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
- Corriente de drenaje continua 3.5A
- Corriente de drenaje pulsada 18A
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
100V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.5A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.047ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
31W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
3.5A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.047ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
31W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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