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FDS89141
MOSFET Dual, Canal N, 100 V, 100 V, 3.5 A, 3.5 A, 0.047 ohm
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS89141
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)88T3365
Cinta adhesiva88T3365
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $4.390 | $21.95 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $21.95 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.390 |
| 10+ | $3.060 |
| 25+ | $2.800 |
| 50+ | $2.560 |
| 100+ | $2.300 |
| 250+ | $2.200 |
| 500+ | $2.080 |
| 1000+ | $1.980 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS89141
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)88T3365
Cinta adhesiva88T3365
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N100
Intensidad Drenador Continua Id3.5A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P100
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.5
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.047
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.047
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N31
Disipación de Potencia de Canal P31
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDS89141 es un MOSFET de puerta blindada de doble canal N producido mediante el proceso PowerTrench® avanzado que incorpora tecnología de puerta blindada. Este proceso se ha optimizado para RDS (ON), rendimiento de conmutación y robustez. El dispositivo es adecuado para su uso con rectificador síncrono e interruptor primario para aplicaciones de topología de puente.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente en un paquete de montaje en superficie ampliamente utilizado
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
- Corriente de drenaje continua 3.5A
- Corriente de drenaje pulsada 18A
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.5A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
100
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.5
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.047
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
31
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
100
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.047
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
31
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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