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FDS89161LZ
MOSFET, N-CH, 100V, 2.7A, 150DEG C, 1.6W
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| 100+ | $1.240 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS89161LZ
No. Parte Newark46AC0812
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel + Schottky
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N100
Intensidad Drenador Continua Id2.7A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P100
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N2.7
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P2.7
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente105
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.105
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.6
Disipación de Potencia de Canal P1.6
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel + Schottky
Intensidad Drenador Continua Id
2.7A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
100
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
2.7
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.105
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.6
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
100
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
2.7
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
105
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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