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FDS89161LZ
MOSFET Dual, Canal N + Schottky, 100 V, 100 V, 2.7 A, 2.7 A, 0.105 ohm
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS89161LZ
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)46AC0812
Cinta adhesiva46AC0812
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.253 | $0.25 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.25 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD | Precio promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $2.430 | $0.253 |
| 10+ | $1.650 | $0.253 |
| 25+ | $1.490 | $0.253 |
| 50+ | $1.340 | $0.253 |
| 100+ | $1.190 | $0.253 |
| 250+ | $1.100 | $0.253 |
| 500+ | $0.992 | $0.253 |
| 1000+ | $0.950 | $0.253 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDS89161LZ
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)46AC0812
Cinta adhesiva46AC0812
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel + Schottky
Intensidad Drenador Continua Id2.7A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N100
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P100
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N2.7
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P2.7
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.105
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.105
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.6
Disipación de Potencia de Canal P1.6
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel + Schottky
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
100
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
100
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
2.7
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.105
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.6
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
2.7A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
2.7
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.105
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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