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FQB22P10TM
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 22 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQB22P10TMCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)15R3441RL
Cinta adhesiva15R3441
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 800 | $1.670 | $1,336.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1,336.00 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 800+ | $1.670 |
| 1600+ | $1.640 |
| 2400+ | $1.600 |
| 4000+ | $1.570 |
| 8000+ | $1.540 |
| 20000+ | $1.500 |
| 40000+ | $1.470 |
| 80000+ | $1.440 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQB22P10TMCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)15R3441RL
Cinta adhesiva15R3441
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id22
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.125
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia3.75
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Resumen del producto
The FQB22P10TM is a QFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
- 100% Avalanche tested
- 40nC Typical low gate charge
- 160pF Typical low Crss
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
22
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
3.75
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.125
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Alternativas para el número de pieza FQB22P10TM
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto