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MJB41CT4G
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 100V
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJB41CT4G
No. Parte Newark82Y6983
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor100V
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor-
Corriente NPN de Colector Continua6A
Corriente PNP de Colector Continua-
Disipación de Potencia NPN65W
Disipación de Potencia PNP-
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD15hFE
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD-
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines3Pines
Montaje de TransistorSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Frecuencia de Transición NPN3MHz
Frecuencia de Transición PNP-
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
-
Corriente PNP de Colector Continua
-
Disipación de Potencia PNP
-
Ganancia Mín. hFE PNP de Corriente CD
-
No. de Pines
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Frecuencia de Transición PNP
-
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
100V
Corriente NPN de Colector Continua
6A
Disipación de Potencia NPN
65W
Ganancia Mín. hFE NPN de Corriente CD
15hFE
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición NPN
3MHz
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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