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MJB45H11T4G
POWER TRANSISTOR, PNP, -80V, D2-PAK
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJB45H11T4G
No. Parte Newark12AM0984
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor80V
Corriente del Colector Continua10A
Disipación de Potencia50W
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición40MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.40hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Corriente del Colector Continua
10A
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
40hFE
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80V
Disipación de Potencia
50W
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
40MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
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US ECCN:Unknown
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