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MMBF4391LT1G.
Transistor JFET, 30 V, 150 mA, 10 V, SOT-23, 3 Pines, 150 °C
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBF4391LT1G.
No. Parte Newark26AC2210
Hoja de datos técnicos
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente30V
Voltaje de Ruptura Vbr30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula50mA
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero150mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta10V
Diseño de TransistorSOT-23
Tipo de TransistorJFET
No. de Pines3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (19-Jan-2021)
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
50mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
10V
Tipo de Transistor
JFET
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Ruptura Vbr
30V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
150mA
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3 Pines
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (19-Jan-2021)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (19-Jan-2021)
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