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MMBF4391LT1G.
Transistor JFET, 30 V, 150 mA, 10 V, SOT-23, 3 Pines, 150 °C
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBF4391LT1G.
No. Parte Newark26AC2210
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr30V
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula50mA
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero150mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta10V
Diseño de TransistorSOT-23
Tipo de TransistorJFET
No. de Pines3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (19-Jan-2021)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
50mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
10V
Tipo de Transistor
JFET
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
30V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
150mA
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3 Pines
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (19-Jan-2021)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (19-Jan-2021)
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