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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBF5103
No. Parte Newark31Y2743
Hoja de datos técnicos
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente40V
Voltaje de Ruptura Vbr-40V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula10mA
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero40mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-2.7V
Diseño de TransistorSOT-23
No. de Pines3 Pin
Tipo de TransistorJFET
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El MMBF5103 es un JFET de canal N diseñado para conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención y amplificadores estabilizados por chopper.
- Voltaje de drenaje a fuente de 40V
- Voltaje de compuerta a fuente de -40V
- Corriente de compuerta directa de 50mA
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
40V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
10mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-2.7V
No. de Pines
3 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Montaje de Transistor
Surface Mount
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Ruptura Vbr
-40V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
40mA
Diseño de Transistor
SOT-23
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MMBF5103
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto