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MMBFJ113
TRANSISTOR, JFET, N-CH, 3V, SOT-23
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBFJ113
No. Parte Newark31Y2733
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.448 |
| 10+ | $0.258 |
| 25+ | $0.217 |
| 50+ | $0.174 |
| 100+ | $0.133 |
| 250+ | $0.131 |
| 500+ | $0.129 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBFJ113
No. Parte Newark31Y2733
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr0
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-35
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero-
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula0
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-3
Diseño de TransistorSOT-23
No. de Pines3 Pines
Tipo de Transistor0
Temperatura de Trabajo Máx.150
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
0
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
-
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-3
No. de Pines
3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-35
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Tipo de Transistor
0
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MMBFJ113
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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