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MMBFJ310LT3G
Transistor JFET, 25 V, 60 mA, 25 V, SOT-23, 3 Pines, 150 °C
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBFJ310LT3G
No. Parte Newark97Y9395
Hoja de datos técnicos
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente25V
Voltaje de Ruptura Vbr25V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula24mA
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero60mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta25V
Diseño de TransistorSOT-23
No. de Pines3 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de TransistorJFET
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
25V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
24mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
25V
No. de Pines
3 Pin
Tipo de Transistor
JFET
Montaje de Transistor
Surface Mount
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Ruptura Vbr
25V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
60mA
Diseño de Transistor
SOT-23
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MMBFJ310LT3G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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