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MTP3055VL
MOSFET Transistor, N Channel, 12 A, 60 V
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMTP3055VLCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark31Y3093
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602 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.990 |
| 10+ | $1.730 |
| 100+ | $1.390 |
| 500+ | $1.270 |
| 1000+ | $1.140 |
| 2500+ | $0.962 |
| 10000+ | $0.941 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMTP3055VLCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark31Y3093
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id12A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.18ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)5V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6V
Disipación de Potencia48W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
12A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.18ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
48W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza MTP3055VL
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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