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NTD2955T4G.
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 12 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 5000+ | $0.682 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTD2955T4G.Copiar
No. Parte Newark26AC2746
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id12
Resistencia de Activación Rds(on)0.155ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.155
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd55W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia55
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.155ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
55W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.155
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
55
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NTD2955T4G.
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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