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NTGD3148NT1G
MOSFET, DOBLE CANAL N, 20V, 3.5A, TSOP
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTGD3148NT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5813
Re-reeling (Rollos a medida)14AC4766RL
Cinta adhesiva14AC4766
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2,826 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Hilado completo | 5 | $0.214 | $0.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.07 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.904 |
| 10+ | $0.560 |
| 15+ | $0.510 |
| 25+ | $0.460 |
| 50+ | $0.410 |
| 125+ | $0.361 |
| 250+ | $0.319 |
| 500+ | $0.277 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.214 |
| 9000+ | $0.196 |
| 15000+ | $0.192 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTGD3148NT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5813
Re-reeling (Rollos a medida)14AC4766RL
Cinta adhesiva14AC4766
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0417ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.0417ohm
Diseño de TransistorTSOP
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N900mW
Disipación de Potencia de Canal P900mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.5A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.0417ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
900mW
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0417ohm
Diseño de Transistor
TSOP
Disipación de Potencia de Canal N
900mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto