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NTH4L028N170M1
MOSFET, SIC, 1.7KV, 81A, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTH4L028N170M1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark65AK6018
Rango de ProductoEliteSiC Series
Su número de pieza
558 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $49.430 |
| 5+ | $47.580 |
| 10+ | $45.500 |
| 25+ | $43.230 |
| 50+ | $41.160 |
| 100+ | $40.540 |
| 250+ | $39.710 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$49.43
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTH4L028N170M1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark65AK6018
Rango de ProductoEliteSiC Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id81A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.7kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.028ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.3V
Disipación de Potencia535W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
81A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.028ohm
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.3V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.7kV
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
535W
Rango de Producto
EliteSiC Series
Alternativas para el número de pieza NTH4L028N170M1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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