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NTH4L075N065SC1
SIC MOSFET, N-CH, 650V, 38A, TO-247
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FabricanteONSEMI
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Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark47AK6826
Rango de ProductoEliteSiC Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $12.240 |
| 10+ | $11.270 |
| 25+ | $10.430 |
| 50+ | $9.930 |
| 100+ | $9.430 |
| 250+ | $8.240 |
| 500+ | $8.080 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTH4L075N065SC1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark47AK6826
Rango de ProductoEliteSiC Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id38A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.057ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
Disipación de Potencia148W
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8V
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
EliteSiC Series
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
38A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.057ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
148W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza NTH4L075N065SC1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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