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NTMFS10N7D2C
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 78 A, 0.0072 ohm, Power 56, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS10N7D2C
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)22AC8496
Cinta adhesiva22AC8496
Rango de ProductoPowerTrench Series
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352 En Stock
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $4.690 | $4.69 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $4.69 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.690 |
| 10+ | $3.090 |
| 25+ | $2.790 |
| 50+ | $2.500 |
| 100+ | $2.190 |
| 250+ | $2.100 |
| 500+ | $2.000 |
| 1000+ | $1.890 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS10N7D2C
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)22AC8496
Cinta adhesiva22AC8496
Rango de ProductoPowerTrench Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id78
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0072
Resistencia de Activación Rds(on)0.0059ohm
Diseño de TransistorPower 56
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd83W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia83
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoPowerTrench Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
NTMFS10N7D2C is a power trench, N‐channel, shielded gate MOSFET. This N-channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced PowerTrench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode. Application includes primary DC−DC MOSFET, synchronous rectifier in DC−DC and AC−DC, motor drive and solar.
- Lowers switching noise/EMI
- 100% UIL tested
- Drain to source voltage is 100V (TA = 25°C)
- 50% lower Qrr than other MOSFET suppliers
- Gate to source voltage is ±20V (TA = 25°C)
- Drain current is 78A (continuous, TC = 25°C)
- Single pulse avalanche energy is 216mJ (TC = 25°C)
- Power dissipation is 83W (TC = 25°C)
- Turn-on delay time is 13ns (typ, VDD = 50V, ID = 28A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm,TJ = 25°C)
- PQFN8 package, operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0072
Diseño de Transistor
Power 56
Disipación de Potencia Pd
83W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
PowerTrench Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
78
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0059ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
83
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NTMFS10N7D2C
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto