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NTMFS2D1N08XT1G
MOSFET, N-CHANNEL, 80V, 201A, DFN ROHS COMPLIANT: YES
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1,428 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.730 |
| 10+ | $2.560 |
| 25+ | $2.340 |
| 50+ | $2.120 |
| 100+ | $1.890 |
| 250+ | $1.760 |
| 500+ | $1.640 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS2D1N08XT1G
No. Parte Newark97AK7417
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id201A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1900µohm
Diseño de TransistorDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.6V
Disipación de Potencia164W
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
201A
Diseño de Transistor
DFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
164W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1900µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.6V
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
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