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NTMYS008N08LHTWG
MOSFET, N CHANNEL, 80V, 59A, LFPAK
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMYS008N08LHTWGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark11AN7130
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 28 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $3.070 |
| 50+ | $3.010 |
| 100+ | $2.950 |
| 250+ | $2.890 |
| 500+ | $2.830 |
| 1000+ | $2.770 |
| 2500+ | $2.700 |
| 5000+ | $2.640 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$15.35
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMYS008N08LHTWGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark11AN7130
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id59A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0088ohm
Diseño de TransistorLFPAK
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia73W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
59A
Diseño de Transistor
LFPAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
73W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0088ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto