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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 9000+ | $0.140 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTR0202PLT1G.Copiar
No. Parte Newark26AC2760
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id400µA
Resistencia de Activación Rds(on)0.8ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.8ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd225mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.9V
Diseño de TransistorSOT-23
Disipación de Potencia225mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.8ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
400µA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.8ohm
Disipación de Potencia Pd
225mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.9V
Disipación de Potencia
225mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NTR0202PLT1G.
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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