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NTZD3155CT1G
Dual MOSFET, N and P Channel, 540 mA, 20
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTZD3155CT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)94T5893
Cinta adhesiva94T5893
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.385 | $1.92 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.92 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.385 |
| 25+ | $0.315 |
| 100+ | $0.203 |
| 500+ | $0.168 |
| 1000+ | $0.132 |
| 2500+ | $0.125 |
| 10000+ | $0.120 |
| 25000+ | $0.118 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTZD3155CT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)94T5893
Cinta adhesiva94T5893
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N540mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P540mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.4ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.4ohm
Diseño de TransistorSOT-563
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N250mW
Disipación de Potencia de Canal P250mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
540mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.4ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
250mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
540mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.4ohm
Diseño de Transistor
SOT-563
Disipación de Potencia de Canal N
250mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza NTZD3155CT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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