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NVBG070N120M3S-IE
SIC MOSFET, N-CH, 36A, 1.2KV, D2PAK-7
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVBG070N120M3S-IECopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante4 semanas
No. Parte Newark11AN7165
Rango de ProductoEliteSiC Series
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800 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $17.110 |
| 50+ | $10.260 |
| 100+ | $10.060 |
| 250+ | $9.850 |
| 500+ | $9.650 |
| 1000+ | $9.440 |
| 2500+ | $9.230 |
| 5000+ | $9.030 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$17.11
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVBG070N120M3S-IECopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante4 semanas
No. Parte Newark11AN7165
Rango de ProductoEliteSiC Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id36A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.065ohm
Diseño de TransistorD2PAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.9V
Disipación de Potencia86W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
36A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.065ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.9V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
D2PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
86W
Rango de Producto
EliteSiC Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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