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NVBLS1D2N08XTXG
MOSFET, N-CH, 80V, 299A, H-PSOF
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVBLS1D2N08XTXGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark51AM2188
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.430 |
| 10+ | $4.550 |
| 25+ | $4.340 |
| 50+ | $4.140 |
| 100+ | $3.930 |
| 250+ | $3.880 |
| 500+ | $3.820 |
| 1000+ | $3.810 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVBLS1D2N08XTXGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark51AM2188
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id299A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1100µohm
Diseño de TransistorH-PSOF
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.6V
Disipación de Potencia197W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
299A
Diseño de Transistor
H-PSOF
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
197W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1100µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.6V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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