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NVD5C684NLT4G
MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 60V, TO-252
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $52.200 |
| 10+ | $42.600 |
| 25+ | $37.800 |
| 50+ | $33.600 |
| 100+ | $29.000 |
| 250+ | $25.600 |
| 500+ | $20.200 |
| 1000+ | $19.220 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$52.20
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVD5C684NLT4GCopiar
No. Parte Newark18AC0082
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id38A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0165ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1V
Disipación de Potencia27W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0165ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
38A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
27W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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