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NVMFWS003P03P8ZT1G
MOSFET, CANAL P, 30V, 234A, DFNW
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFWS003P03P8ZT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark86AK7644
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 54 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.750 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.75
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFWS003P03P8ZT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark86AK7644
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id234A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0018ohm
Diseño de TransistorDFNW
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia168.7W
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
234A
Diseño de Transistor
DFNW
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
168.7W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0018ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
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