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NVMYS9D3N06CLTWG
MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 50A, LFPAK
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMYS9D3N06CLTWGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante48 semanas
No. Parte Newark11AN7248
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 48 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.820 |
| 50+ | $0.864 |
| 100+ | $0.771 |
| 250+ | $0.689 |
| 500+ | $0.606 |
| 1000+ | $0.595 |
| 2500+ | $0.582 |
| 5000+ | $0.570 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.82
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMYS9D3N06CLTWGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante48 semanas
No. Parte Newark11AN7248
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id50A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0092ohm
Diseño de TransistorLFPAK
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia46W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
50A
Diseño de Transistor
LFPAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
46W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0092ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto