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NXH006P120M3F2PTHG
MOSFET CARB, MEDIO PUENTE, CANAL N, 191A
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH006P120M3F2PTHGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark08AM4242
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 5+ | $151.790 |
| 10+ | $148.700 |
| 25+ | $145.590 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH006P120M3F2PTHGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark08AM4242
Configuración de Módulo MOSFETHalf Bridge
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id191A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8000µohm
Diseño de TransistorPIM
No. de Pines36Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.4V
Disipación de Potencia556W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Half Bridge
Intensidad Drenador Continua Id
191A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8000µohm
No. de Pines
36Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.4V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
PIM
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
556W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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