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NXH006P120MNF2PTG
MOSFET de carburo de silicio, Medio Puente, Canal N, 304 A, 1.2 kV, 5480 µohm, Module
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH006P120MNF2PTG
No. Parte Newark50AJ5927
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| Cantidad | Precio en USD |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH006P120MNF2PTG
No. Parte Newark50AJ5927
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETMedio Puente
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id304
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5480
Diseño de TransistorModule
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines36Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.83
Disipación de Potencia950
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Medio Puente
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5480
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
950
Rango de Producto
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
304
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
Module
No. de Pines
36Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.83
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza NXH006P120MNF2PTG
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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