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| 40+ | $115.200 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH011T120M3F2PTHGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante13 semanas
No. Parte Newark86AK5889
Configuración de Módulo MOSFETHalf Bridge
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id91A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.016ohm
Diseño de TransistorModule
No. de Pines29Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.4V
Disipación de Potencia272W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Half Bridge
Intensidad Drenador Continua Id
91A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.016ohm
No. de Pines
29Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.4V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
272W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
