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NXH020U90MNF2PTG
MOSFET, SIC, 900V, 149A, MODULE
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH020U90MNF2PTGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante13 semanas
No. Parte Newark65AK6020
Su número de pieza
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 13 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $180.880 |
| 5+ | $178.350 |
| 10+ | $175.830 |
| 25+ | $165.700 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$180.88
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH020U90MNF2PTGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante13 semanas
No. Parte Newark65AK6020
Configuración de Módulo MOSFETHalf-Bridge Module
Tipo de CanalDual N Channel
Intensidad Drenador Continua Id149A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.01003ohm
Diseño de TransistorModule
No. de Pines20Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.3V
Disipación de Potencia352W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Half-Bridge Module
Intensidad Drenador Continua Id
149A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.01003ohm
No. de Pines
20Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.3V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900V
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
15V
Disipación de Potencia
352W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto