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PCP1403-TD-H
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 4.5 A, 0.092 ohm, SOT-89, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricantePCP1403-TD-HCopiar
No. Parte Newark14AC4823
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id4.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.092
Resistencia de Activación Rds(on)0.092ohm
Diseño de TransistorSOT-89
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd3.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.6
Disipación de Potencia3.5
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.092
Diseño de Transistor
SOT-89
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.6
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.092ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
3.5W
Disipación de Potencia
3.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto