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SBC856BWT1G
TRANSISTOR, AEC-Q101, PNP, -65V, SC-70
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteSBC856BWT1G
No. Parte Newark31AC1329
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.176 |
| 10+ | $0.109 |
| 25+ | $0.096 |
| 50+ | $0.083 |
| 100+ | $0.071 |
| 250+ | $0.062 |
| 500+ | $0.053 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteSBC856BWT1G
No. Parte Newark31AC1329
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor65V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente del Colector Continua100mA
Corriente de Colector DC0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia150mW
Diseño de TransistorSC-70
Montaje de TransistorSurface Mount
Ganancia de Corriente DC hFE0
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición100MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.220hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia
150mW
Montaje de Transistor
Surface Mount
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
220hFE
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje Máx. Colector a Emisor
65V
Corriente del Colector Continua
100mA
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
SC-70
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Frecuencia de Transición
100MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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