Imprimir página
SNXH800H120L7QDSG
IGBT MODULE, 1.2KV, 800A, PIM ROHS COMPLIANT: YES
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteSNXH800H120L7QDSGCopiar
No. Parte Newark49AM1457
Su número de pieza
24 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $277.110 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$277.11
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteSNXH800H120L7QDSGCopiar
No. Parte Newark49AM1457
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente del Colector Continua800A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.65V
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Diseño de TransistorPIM
Terminación del IGBTSolder Pin
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBTIGBT 7 [Trench/Field Stop]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.65V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Terminación del IGBT
Solder Pin
Tecnología IGBT
IGBT 7 [Trench/Field Stop]
Rango de Producto
-
Corriente del Colector Continua
800A
Disipación de Potencia
-
Diseño de Transistor
PIM
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto