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LVN-10
Módulo IGBT, Inversor trifásico IPM, 30 A, 2.5 V, 83 W, 100 °C, Module
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Información del producto
FabricanteOMEGA
No. Parte FabricanteLVN-10Copiar
No. Parte Newark08F3087
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración IGBTInversor trifásico IPM
Corriente del Colector Continua30A
Corriente de Colector DC30A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)600V
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.5V
Disipación de Potencia Pd83W
Disipación de Potencia83W
Temperatura de Trabajo Máx.100°C
Temperatura de Union, Tj Máx.100°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo600V
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTEncaje a Presión
No. de Pines25Pines
Voltaje Máx. Colector a Emisor600V
Tecnología IGBT-
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Corriente del Colector Continua
30A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
600V
Disipación de Potencia Pd
83W
Temperatura de Trabajo Máx.
100°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
600V
Terminación del IGBT
Encaje a Presión
Voltaje Máx. Colector a Emisor
600V
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Configuración IGBT
Inversor trifásico IPM
Corriente de Colector DC
30A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.5V
Disipación de Potencia
83W
Temperatura de Union, Tj Máx.
100°C
Diseño de Transistor
Module
No. de Pines
25Pines
Tecnología IGBT
-
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto