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TP65H030G4PQS-TR
Transistor de nitruro de galio (GaN), 650 V, 55.7 A, 0.041 ohm, 24.5 nC, TOLL
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FabricanteRENESAS
No. Parte FabricanteTP65H030G4PQS-TR
No. Parte Newark26AM1874
Rango de ProductoSuperGaN Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $8.390 |
| 10+ | $5.770 |
| 25+ | $5.420 |
| 50+ | $5.070 |
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Información del producto
FabricanteRENESAS
No. Parte FabricanteTP65H030G4PQS-TR
No. Parte Newark26AM1874
Rango de ProductoSuperGaN Series
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id55.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.041
Carga de Compuerta Típica24.5
Diseño de TransistorTOLL
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines9Pines
Rango de ProductoSuperGaN Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.041
Diseño de Transistor
TOLL
No. de Pines
9Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
55.7
Carga de Compuerta Típica
24.5
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
SuperGaN Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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