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AG511EGH7FRATCB
MOSFET, P-CH, 40V, 40A, DFN3333T8LSAB-8
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteAG511EGH7FRATCBCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark11AN0230
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.800 |
| 50+ | $1.580 |
| 100+ | $1.440 |
| 250+ | $1.330 |
| 500+ | $1.150 |
| 1000+ | $1.040 |
| 2500+ | $0.935 |
| 5000+ | $0.905 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.80
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteAG511EGH7FRATCBCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark11AN0230
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id40A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0177ohm
Diseño de TransistorDFN3333T8LSAB
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia62W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
40A
Diseño de Transistor
DFN3333T8LSAB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
62W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0177ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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