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AG533EES4FRATCB
MOSFET, P-CH, 30V, 35A, HPLF5060T5LSAH
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteAG533EES4FRATCBCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark51AM1812
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.350 |
| 10+ | $1.500 |
| 25+ | $1.350 |
| 50+ | $1.170 |
| 100+ | $1.010 |
| 250+ | $0.904 |
| 500+ | $0.799 |
| 1000+ | $0.731 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteAG533EES4FRATCBCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark51AM1812
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id35A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.028ohm
Diseño de TransistorHPLF5060T5LSAH
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia34W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
35A
Diseño de Transistor
HPLF5060T5LSAH
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
34W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.028ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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