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BSM300D12P3E005
MOSFET de carburo de silicio, Medio Puente, Doble Canal N, 300 A, 1.2 kV, Module
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteBSM300D12P3E005
No. Parte Newark88AH6166
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETMedio Puente
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalDoble Canal N
Intensidad Drenador Continua Id300A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorModule
Núm. de Contactos-
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6V
Disipación de Potencia1.26kW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Medio Puente
Tipo de Canal
Doble Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
-
Núm. de Contactos
-
Voltaje de Prueba Rds(on)
-
Disipación de Potencia
1.26kW
Rango de Producto
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
300A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
Module
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto