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BST91B1P4K01-VC
MOSFET, FOUR N-CH, 750V, 90A, HSDIP
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteBST91B1P4K01-VCCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante29 semanas
No. Parte Newark95AM9533
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8 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $143.630 |
| 5+ | $134.340 |
| 10+ | $125.050 |
| 25+ | $122.510 |
| 50+ | $119.980 |
| 120+ | $117.440 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$143.63
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteBST91B1P4K01-VCCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante29 semanas
No. Parte Newark95AM9533
Configuración de Módulo MOSFETFull Bridge
Tipo de CanalFour N Channel
Intensidad Drenador Continua Id90A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds750V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.019ohm
Diseño de TransistorHSDIP
No. de Pines20Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.8V
Disipación de Potencia385W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Full Bridge
Intensidad Drenador Continua Id
90A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.019ohm
No. de Pines
20Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.8V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Four N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
750V
Diseño de Transistor
HSDIP
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
385W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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