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HT8KA5TB1
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 12A, HSMT-8
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FabricanteROHM
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Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark11AN4465
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.420 |
| 50+ | $1.240 |
| 100+ | $1.140 |
| 250+ | $1.050 |
| 500+ | $0.912 |
| 1000+ | $0.827 |
| 2500+ | $0.741 |
| 5000+ | $0.718 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteHT8KA5TB1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark11AN4465
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N12A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0164ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorHSMT
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N14W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
12A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0164ohm
Diseño de Transistor
HSMT
Disipación de Potencia de Canal N
14W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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