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RH6G040CGTB1
MOSFET, N-CH, 40V, 40A, HSMT
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FabricanteROHM
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Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)51AM2241RL
Cinta adhesiva51AM2241
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.150 | $2.15 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.15 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.150 |
| 50+ | $1.060 |
| 100+ | $0.954 |
| 250+ | $0.860 |
| 500+ | $0.766 |
| 1000+ | $0.751 |
| 2500+ | $0.735 |
| 5000+ | $0.720 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRH6G040CGTB1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)51AM2241RL
Cinta adhesiva51AM2241
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id40A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2400µohm
Diseño de TransistorHSMT
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia93W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
40A
Diseño de Transistor
HSMT
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
93W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2400µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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