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RQ7P035ATTCR
MOSFET, P-CHANNEL, 100V, 3.5A, TSMT
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.740 |
| 10+ | $1.100 |
| 25+ | $0.972 |
| 50+ | $0.849 |
| 100+ | $0.726 |
| 250+ | $0.648 |
| 500+ | $0.569 |
| 1000+ | $0.534 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRQ7P035ATTCRCopiar
No. Parte Newark02AM9696
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id3.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.111ohm
Diseño de TransistorTSMT
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia1.5W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.5A
Diseño de Transistor
TSMT
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.111ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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