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RS1E200BNTB1
MOSFET, N-CH, 30V, 68A, HSOP-8
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FabricanteROHM
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Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark11AN8763
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.800 |
| 10+ | $1.540 |
| 25+ | $1.390 |
| 50+ | $1.250 |
| 100+ | $1.060 |
| 250+ | $0.932 |
| 500+ | $0.809 |
| 1000+ | $0.776 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRS1E200BNTB1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark11AN8763
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id68A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0039ohm
Diseño de TransistorHSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia25W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
68A
Diseño de Transistor
HSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
25W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0039ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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