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RS7E200BGTB1
MOSFET, N-CHANNEL, 30V, 390A, DFN5060 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.830 |
| 10+ | $3.960 |
| 25+ | $3.660 |
| 50+ | $3.360 |
| 100+ | $3.060 |
| 250+ | $2.910 |
| 500+ | $2.770 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRS7E200BGTB1
No. Parte Newark22AM1049
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id390A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente670µohm
Diseño de TransistorDFN5060
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia180W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
390A
Diseño de Transistor
DFN5060
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
180W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
670µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
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