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RS7N200BHTB1
MOSFET, N-CHANNEL, 80V, 230A, DFN5060
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FabricanteROHM
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Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark22AM1051
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.870 |
| 10+ | $3.900 |
| 25+ | $3.520 |
| 50+ | $3.160 |
| 100+ | $2.790 |
| 250+ | $2.730 |
| 500+ | $2.670 |
| 1000+ | $2.520 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRS7N200BHTB1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark22AM1051
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id230A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2000µohm
Diseño de TransistorDFN5060
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia180W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
230A
Diseño de Transistor
DFN5060
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
180W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2000µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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