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SCT3080ALHRC11
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 30 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247N
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT3080ALHRC11
No. Parte Newark02AH4685
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id30A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247N
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia134W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6V
Disipación de Potencia
134W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
30A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08ohm
Diseño de Transistor
TO-247N
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
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Certificado de conformidad del producto
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