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SCT3105KW7TL
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 23A, TO-263-7
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT3105KW7TLCopiar
No. Parte Newark93AH0362
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT3105KW7TLCopiar
No. Parte Newark93AH0362
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id23
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.105
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6
Disipación de Potencia125
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
125
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
23
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.105
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
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