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SCT4062KWATL
MOSFET CARB, SENCILLO, CANAL N, 24A
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT4062KWATLCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante32 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)94AK7724RL
Cinta adhesiva94AK7724
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90 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $11.190 | $11.19 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $11.19 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $11.190 |
| 50+ | $8.160 |
| 100+ | $6.440 |
| 250+ | $6.320 |
| 500+ | $6.190 |
| 1000+ | $6.060 |
| 2500+ | $5.930 |
| 5000+ | $5.800 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT4062KWATLCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante32 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)94AK7724RL
Cinta adhesiva94AK7724
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id24
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.081
Diseño de TransistorTO-263
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.8
Disipación de Potencia93
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
SCT4062KWATL is a Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET. It has about 40% reduction in on-resistance and about 50% reduction in switching loss compared to conventional products. The 15V gate-source voltage makes application design easier. Typical applications include solar inverters, DC/DC converters, switch-mode power supplies, induction heating, and motor drives.
- Low on-resistance, fast switching speed
- Fast reverse recovery, easy to parallel, simple to drive
- Wide creepage distance = min 4.7mm
- Drain - source breakdown voltage is 1200V min at VGS = 0V, ID = 5.3mA, Tvj = 25°C
- Zero gate voltage drain current is 10μA typ at Tvj = 150°C
- Gate threshold voltage is 4.8V max at VDS = 10V, ID = 6.45mA
- Static drain - source on - state resistance is 62mohm typ at Tvj = 25°C
- Gate input resistance is 4ohm typ at f = 1MHz, open drain
- Range of storage temperature: -40 to +175°C
- TO-263 package
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
24
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.081
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.8
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-263
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
93
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto