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SH8KB5TB1
MOSFET, DUAL N-CH, 40V, 4.5A, SOP ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.620 |
| 10+ | $1.020 |
| 25+ | $0.899 |
| 50+ | $0.777 |
| 100+ | $0.656 |
| 250+ | $0.603 |
| 500+ | $0.549 |
| 1000+ | $0.480 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSH8KB5TB1
No. Parte Newark22AM2319
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.055ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOP
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.055ohm
Diseño de Transistor
SOP
Disipación de Potencia de Canal N
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
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