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TT8M2TR
MOSFET, N & P-CH, 30V, 2.5A, TSST
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteTT8M2TRCopiar
No. Parte Newark78AC6646
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N2.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P2.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.09ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.065ohm
Diseño de TransistorTSST
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.25W
Disipación de Potencia de Canal P1.25W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
2.5A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.065ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.25W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
2.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.09ohm
Diseño de Transistor
TSST
Disipación de Potencia de Canal N
1.25W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto