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UT6JB5TCR
MOSFET Dual, Doble Canal P, 40 V, 3.5 A
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.340 |
| 10+ | $0.835 |
| 25+ | $0.739 |
| 50+ | $0.644 |
| 100+ | $0.548 |
| 250+ | $0.487 |
| 500+ | $0.427 |
| 1000+ | $0.387 |
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteUT6JB5TCR
No. Parte Newark22AJ0576
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalDoble Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P40
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.122ohm
Diseño de TransistorDFN2020D
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P2
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Doble Canal P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
-
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.5
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.122ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
40
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
DFN2020D
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto